Батарея для ИБП APC RBC34 6В 9Ач для SUA750RM1U/SUA1000RMI1U
Модель RBC34 Вес 6.36 Бренд APC PartNumber/Артикул Производителя RBC34 Длина упаковки (ед) 0.571 Ширина упаковки (ед) 0.3 Высота упаковки (ед) 0.16 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.571x0.3x0.16 Объем упаковки (ед) 0.027408 EANCode 0731304220664 Для моделей ИБП SUA750RM1U/SUA1000RMI1U Напряжение питания 6 Емкость 9 Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да Форм-фактор M.2 2280 Номинальный объем 500 Объем после форматирования 470.4 Внешняя скорость передачи данных, до 3840 Максимальная скорость чтения 3100 Максимальная скорость записи 2600 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) 400 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) 470 Тип памяти 3D NAND TLC Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования Desktop Тип интерфейса PCI Express Версия PCI-E PCIe 3.0 x4 w/NVMe Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF) 300 Ударостойкость при работе 1500 Ударостойкость при хранении 1500 Энергопотребление при работе 5.3 Ширина 100 Высота 20 Глубина 140 Тип комплектации RTL Ссылка на описание https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
Подробнее
62 900 ₽
- Свойство ADPAR_PROPERTIES
Модель RBC34 Вес 6.36 Бренд APC PartNumber/Артикул Производителя RBC34 Длина упаковки (ед) 0.571 Ширина упаковки (ед) 0.3 Высота упаковки (ед) 0.16 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.571x0.3x0.16 Объем упаковки (ед) 0.027408 EANCode 0731304220664 Для моделей ИБП SUA750RM1U/SUA1000RMI1U Напряжение питания 6 Емкость 9 Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да Форм-фактор M.2 2280 Номинальный объем 500 Объем после форматирования 470.4 Внешняя скорость передачи данных, до 3840 Максимальная скорость чтения 3100 Максимальная скорость записи 2600 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) 400 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) 470 Тип памяти 3D NAND TLC Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования Desktop Тип интерфейса PCI Express Версия PCI-E PCIe 3.0 x4 w/NVMe Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF) 300 Ударостойкость при работе 1500 Ударостойкость при хранении 1500 Энергопотребление при работе 5.3 Ширина 100 Высота 20 Глубина 140 Тип комплектации RTL Ссылка на описание https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/