Накопитель SSD Samsung PCIe 3.0 x4 1TB MZ-V8V1T0BW 980 M.2 2280
Модель MZ-V8V1T0BW Время наработки на отказ 1500000 Контроллер NAND Samsung Pablo Controller Объем накопителя 1024 Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 500000 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя MZ-V8V1T0BW Категория Применения 1TB Форм-фактор M.2 2280 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 600 Разъем M.2 Длина упаковки (ед) 0.145 Ширина упаковки (ед) 0.099 Высота упаковки (ед) 0.021 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.145x0.099x0.021 Объем упаковки (ед) 0.000301455 Ударостойкость при хранении 1500 G EANCode 887276437224 Интерфейс PCIe 3.0 x4 Максимальная скорость записи 3000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000 Максимальная скорость чтения 3500 Мощность в режиме ожидания 0.045 Потребляемая мощность 5.3 Серия 980 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000 Тип памяти NAND 3D TLC Тип жесткого диска SSD Толщина 2.38
Подробнее
17 900 ₽
- Свойство ADPAR_PROPERTIES
Модель MZ-V8V1T0BW Время наработки на отказ 1500000 Контроллер NAND Samsung Pablo Controller Объем накопителя 1024 Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 500000 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя MZ-V8V1T0BW Категория Применения 1TB Форм-фактор M.2 2280 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 600 Разъем M.2 Длина упаковки (ед) 0.145 Ширина упаковки (ед) 0.099 Высота упаковки (ед) 0.021 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.145x0.099x0.021 Объем упаковки (ед) 0.000301455 Ударостойкость при хранении 1500 G EANCode 887276437224 Интерфейс PCIe 3.0 x4 Максимальная скорость записи 3000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000 Максимальная скорость чтения 3500 Мощность в режиме ожидания 0.045 Потребляемая мощность 5.3 Серия 980 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000 Тип памяти NAND 3D TLC Тип жесткого диска SSD Толщина 2.38