Память DDR4 8Gb 3200MHz Samsung M378A1K43EB2-CWE OEM PC4-25600 CL21 DIMM 288-pin 1.2В single rank OEM
Модель M378A1K43EB2-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL21 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43EB2-CWE Количество рангов (Ranks) single rank Длина упаковки (ед) 0.14 Ширина упаковки (ед) 0.05 Высота упаковки (ед) 0.01 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.14x0.05x0.01 Вес упаковки (ед) 0.032 Объем упаковки (ед) 0.00007 Тип Оперативная память Суммарный объем памяти всего комплекта 8 Объем одного модуля 8 Пропускная способность 25600 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3200 Количество в упаковке 1 Тип поставки OEM Буферизация unbuffered
Подробнее
3 450 ₽
- Свойство ADPAR_PROPERTIES
Модель M378A1K43EB2-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL21 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43EB2-CWE Количество рангов (Ranks) single rank Длина упаковки (ед) 0.14 Ширина упаковки (ед) 0.05 Высота упаковки (ед) 0.01 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.14x0.05x0.01 Вес упаковки (ед) 0.032 Объем упаковки (ед) 0.00007 Тип Оперативная память Суммарный объем памяти всего комплекта 8 Объем одного модуля 8 Пропускная способность 25600 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3200 Количество в упаковке 1 Тип поставки OEM Буферизация unbuffered